GaNFast を使ったUGREEN PD3.1充電器購入

こりもせず、又PD3.1の140W充電器を購入しました。UGEENの100WPD3.1充電器です。GaNFastという新しいGaNチップが搭載されています。今回10.5k程度に下がっていたので購入しました。
前に購入したアドテックのPD3.1も5.5kになっていたので買いそうでしたが、ぐっと我慢です。

140W　GaNFast
AliexpressのブラックフライデーよりAmazonのほうが安い！10.5kでした。
低発熱・高効率とのことなので発熱も少なそうです。アドテックは結構発熱します・・・

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アドテックのPD3.1 140Wも安い　5.5Kは最安値です。

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GaN2-Fastとは　Navitas SemiconductorのHP参照
1. GaN3-Fastとは
2. Navitas Semiconductor
まとめ
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GaN2-Fastとは　Navitas SemiconductorのHP参照

窒化ガリウム (GaN)は、シリコンよりも最大 20 倍の速度で動作する次世代半導体テクノロジーであり、Navitas 独自の GaNFast™ パワー IC は、半分のサイズと重量で最大 3 倍の高速充電を実現し、シリコンと比較して最大 40% のエネルギー節約を実現します。レガシーシリコンチップを搭載。

Baseus GaN2 100W 充電器には USB-C 出力が 1 つあり、サイズはわずか 67 x 30 x 55 mm (111 cc)、超軽量の 178 g、小売価格はわずか 34 ドルです。これらの仕様により、プレミアムシリコンベースの充電器よりも 40% 小型化、40% 軽量化され、小売価格が 50% 低くなります。

GaN2 100W (モデル #CCGAN100CS) は、高速ソフトスイッチング回路で動作する NV6125 650V GaNFast パワー IC を使用しています。代替のディスクリート GaN ソリューションでは、保護回路を統合しないと、コンポーネント数の増加、PCB フットプリントの拡大、システムコストの上昇が必要となり、本質的な信頼性リスクが生じます。対照的に、Navitas GaNFast パワー IC は、駆動、制御、保護回路を統合しており、比類のないエネルギー効率、堅牢性と信頼性、動作周波数、設計の簡素化、システムコスト、PCB フットプリントの削減を可能にします。

GaN3-Fastとは

2023/11にGaN3-Fastの発表もありました。来年のPD3.1も凄そうです。

Navitas の GaNFast パワー IC は、GaN パワーと制御、センシング、保護を備えたドライブを統合し、より高速な充電、より高い電力密度、より大きなエネルギー節約、システムコストの削減を可能にします。さらに、各 GaN パワー IC は、効率の向上と非物質化により4 kg 以上の CO _{2を節約します。}新しい「Gen-3 Fast」GeneSiC MOSFET は、他の SiC デバイスと比較して性能が最大 50% 向上し、従来のシリコン IGBT と比較してユニットあたり40 kg 以上の CO _{2を節約します。}

Navitas Semiconductor

Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、2014 年に設立された唯一の純粋な次世代パワー半導体企業です。GaNFast ™ パワー IC は、窒化ガリウム (GaN) のパワーとドライブを統合し、制御、センシング、保護を備えており、より高速な動作を可能にします。充電、より高い電力密度、そしてより大きなエネルギー節約を可能にします。相補型 GeneSiC™ パワーデバイスは、最適化された高出力、高電圧、高信頼性の炭化ケイ素 (SiC) ソリューションです。重点市場には、EV、太陽光発電、エネルギー貯蔵、家電/産業、データセンター、モバイル、消費者が含まれます。Navitas の特許は 185 件を超え、発行または申請中です。2023 年 8 月の時点で、1 億個を超える GaN と 1,200 万個の SiC ユニットが出荷されており、業界初かつ唯一の 20 年間の GaNFast 保証が付いています。Navitas は、 CarbonNeutral® 認定を受けた世界初の半導体企業です。